国内通用技术实验室发展方向

日期:2019-06-25 17:48:00 / 来源:http://www.cdpainuo.com/news92830.html

国内通用技术实验室发展方向 

交传播动与控制技术是目前开展***为疾速的技术之一,这是和冉力电子器件制造技术、变流技术控制技术以及微型计算机和大范围集成电路的飞速开展亲密相关。

    通用技术作为早个商品开端在国内上市,是近十年的事,销售额逐年增加,于今全年有超越数十亿元(RMB)的市场。其中,各种进口品牌居多,功率小至百瓦大至数千千瓦;功用简易或复杂;精度低或高;响应慢或快:有PG(测速机)或无PG;有噪音或无噪音等等。

    关于许多用户来说,这十年中阅历了屡次更新,现所运用的通用技术大都属于目前***为先进的机型假如从应用的角度来说,我们的水准与兴旺国度没有什么两样。作为国内制造商,经过这十年来对国外的先进技术停止销化,也正在积极地停止国产通用技术的自主开发.努力追逐世界兴旺国度的程度。

    回忆近十年来国外通用技术技术的开展关于深化理解交传播动与控制技术的走向,以及如何站在高起点上分离我国国情开发我国本人的产品应该说具有非常积极的意义。

    2. 关于功率器件 

    变频技术是树立在电力电子技术根底之上的。在低压交流电动机的传动控制中,应用***多的功率器件有GTO、GTR、IGBT以及智能模块IPM(Intelligent Power Module),后面二种集GTR的低饱和电压特性和MOSFET的高频开关特性于一体是目前通用技术中***普遍运用的主流功率器件。IGBT集射电压Vce可<3V,频率可到达20KHZ,内含的集射极间超高速二极管Trr可达150ns,1992年前后开端在通用技术中得到普遍应用。其开展的方向是损耗更低,开关速度更快、电压更高,容量更大(3.3KV、 1200A), 目前,采用沟道型栅极技术、非穿通技术等办法大幅度降低了集电极一发射极之间的饱和电压[VCE(sat)]的第四代IGBT也已问世。

    第四代IGBT的应用使通用技术的性能有了很大的进步。其一是ICBT开关器件发热减少,将曾占主回路发热50-70%的器件发热降低了30%。其二是高载波控制,使输出电流波形有明显改善;其三是开关频率进步,使之超越人耳的感受范围,即完成了电机运转的静青化;其四是驱动功率减少,体积趋于更小。

作者:www.cdpainuo.com


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