1. 科益虹源上市了吗，亦庄芯片企业有哪些？

北京经开区已形成以中芯国际、北方华创为龙头，包括设计、制造、封装测试、装备、零部件及材料等完备的集成电路产业链，产业规模占北京市集成电路产业规模的1/2。

同时，北方华创、屹唐半导体、中电科、华卓精科、国望光学、科益虹源、东方晶源等一批集成电路装备企业均在亦庄聚集，经开区已成为全国最重要的集成电路装备产业集聚区。

2. 华为为什么要倾力保住海思？

答案非常简单——一个连海思都保不住的华为必然倒下！

毫无疑问！

海思麒麟之于华为，就好像三星猎户座之于三星，苹果A系列芯片之于苹果！

世界前三的手机品牌，都拥有自研的手机芯片！

这是核心竞争力，这是差异化，不必像一大堆用高通、联发科的手机企业抢首发！

用时下热门的词语来形容的话，就是“内卷”。

大家说华为能不保海思吗？

我相信在华为人的心里，根本没有“保”或“不保”这二个选项。

是的，营收暴跌88%！跌出世界前十大芯片设计公司！

那又如何？

海思是一出生就世界前十吗？

跌倒了就不能站起来吗？

华为人难道不知道任正非所说的“从泥坑里爬起来的都是圣人！”吗？

（一）海思是怎样的一家公司？

海思半导体是一家半导体公司，成立于2004年10月，前身是创建于1991年的华为集成电路设计中心。海思公司总部位于深圳，总裁是何庭波，女中豪杰。

海思设计产品：手机Soc芯片麒麟，连接类芯片（基带芯片巴龙，基站芯片等），服务器芯片鲲鹏，AI芯片昇腾、凌霄，还有视频芯片鸿鹄等等。其中在安防监控领域，华为海思经过十多年的深耕，全球市场份额甚至达到90%之多。

海思大事记（移动处理器篇）

2009年 华为海思第一款手机终端处理器——K3。这是卖给山寨机的，没有成功。

2012年 发布第一代四核手机处理器芯片K3V2，40纳米制程，恶评如潮，销量极差。

2013-2014 海思先后发布麒麟620及麒麟910。反响平平。

2014年 麒麟925、930芯片推出，麒麟芯片才逐渐被大家所接受，可以用了。

2015年 麒麟950推出，这是真正意义上的高端芯片，在cpu上站在了世界最高峰，但是Gpu相比高通依然差距巨大，意味着打游戏的话，不是好选择。

2016年 麒麟960推出，GPU较上一代提升180%，但依然有差距。

2017年 麒麟970芯片设立了专门的AI硬件处理单元—NPU，后被高通及苹果采用。

2018年 麒麟980推出，同年高通骁龙810翻车，被称为火龙810。

2019年 麒麟990，与高通平起平坐。

2020年 麒麟9000，世界上最好的手机soc。

海思——一家历经艰辛，一路走来跌跌撞撞但从未放弃的公司，一家已经站在芯片设计最顶峰的世界级公司！

（二）海思——华为的备胎

不需要说什么，海思总裁何庭波的信可以说明一切。

（三）海思还有没有未来？

我的答案是——无比光明。

海思现状是被华为养着，和以前一样，既然已经养了十多年了，再继续养着有什么不好呢？

近期，华为轮值董事长徐直军透露制裁之下海思的现状：

海思本身是华为芯片的设计部门，我们对它没有盈利的诉求。只要我们养得起，我们就能养着这支队伍继续向前，他们可以不断做开发，为未来做些准备。

海思仍然是世界上最顶级的芯片设计公司，所有业务保留，人才保留，设计保留，3纳米手机芯片依然在设计中，只是无法制造而已。

有永恒的黑夜吗？没有！

目前国内上海微电子纯国产技术能做到28纳米的芯片制造，但是能做到和能大量连续制造，稳定良率制造，低成本制造是两码事，这也是华为难，海思难的原因。

而5g耗能大，至少要7纳米才能用于5g芯片上。

华为目前采用了扶植国内产业链的办法：成立哈勃投资，比如入股科益虹源（光刻机三大核心技术光源系统）；也投人，派出精兵强将帮助国内企业提升业务水平；给订单，你生产出来哪怕略微有点差，但是我也用，比如京东方。

除了华为自身的努力，更重要是的——半导体产业的自主可控，是国家意志！

国务院发布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》提出目标：我国在2025年芯片的自给率要达到70%！

国家已经把大力支持规划、发展半导体产业写入正在制定的“十四五”规划，而且还正式出手，“集成电路”成一级学科！

据有关数据，我国在2014年的相关资本只有15亿美元，到2018年直接涨到了110亿美元。110亿美元是什么概念呢？这个数字已经超过了欧洲和日本企业在半导体行业的投入总和。

国家集成电路产业投资基金（也即“大基金”） 应运而生。在2014年启动一期投资后，10月22日，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（下称大基金二期）正式注册成立，注册资本高达2041.5亿。

这意味着，中国大陆半导体产业将迎来新一轮资金扶持——按照1∶3的撬动比计算，大基金二期有望撬动社会资金约6000亿元。

华为和海思还需要蛰伏3到5年，等待国内产业链成熟。

海思未来一片光明，麒麟必将王者归来！

3. 上海微电子能在2025年前攻克7nm光刻机吗？

我们国人还有问能不能在2025年前攻克 5 纳米光刻机的呢，是不是与中国芯片自给率到2025年达到70%的要求有关？肯定与心里格外焦急有关，更有关，急不可待似的！是啊，国内能设计出7纳米、5纳米芯片，却被断了相应的代工；国内能制造出7纳米芯片，却被断了必需的7纳米光刻机，怎能不格外焦急呢！国内没有攻克高端光刻机，无疑是国产高端芯片“绝版”的核心原因；如果能在2025年前攻克，其它高端国产工艺设备就一定能全都提前地攻克了，目前都是中端的。

我们难以确定地回答我们国内能在将来的哪一年攻克7纳米光刻机。因为，有关上海微电子的信息不多，尤其内容具体的信息不多、笼统的多，来源确定的不多、“猜测”的多，有人说是由于保密，应该不是吧？有关其配套的国内制造厂家和研发机构的信息也不算多，另外还有 1 个共同点，就是新的信息不多、“旧的”多，加一起，就是有关国产光刻机发展现状的信息不多，确定、新颖的也不多，相比之下，有关上世纪发展状况的信息够多、够细、够实。

即使是上海微电子，也难以确定地回答具体能在将来的哪一年攻克7纳米光刻机！这很客观。即便是我们国家，也不过是曾用“规划”的方式提出了在2030年实现高端光刻机国产化的目标。攻克光刻机是个“技术事”，技术方面的事本来就是不确定的，由太多不确定的因素造成，何况光刻机技术那么复杂，更何况，只有高端的光刻机才称得上是真正意义上的“人类工业皇冠上的明珠”之一！ 另一个称得上的是一流的航空发动机，按被赋予的称呼，摘取的技术难度都是最大的，唯二！至今分别只被荷兰和美国摘取了，荷兰是与多个国共同攻克高端光刻机的，美国可以说是单独攻克一流航空发动机的，这让人看上去，像是到如今人类工业皇冠上仅仅有 2 颗明珠似的。那拿下中端和低端光刻机的国家呢？不止 1 个，我国已经是拿下低端的之一，即将是拿下中端的之一。其实，人类工业皇冠上的明珠不是有 2 颗，而是有 2 种， 1 种当中不止有 1 颗，我们中国在将来一定能在 2 种当中分别摘下来 1 颗！

即便是我们，也可以确定地说按传统技术路线走，在2025年前不能攻克7纳米光刻机。上海微电子按照传统技术路线，即将攻克28纳米光刻机，跨越式的，应该是在攻克90纳米光刻机的2016年前就已经“起跳”了，通过预先研究获得了技术积累和储备，如果真的在2022年越过28纳米，让中端国产光刻机落地，够快，关键是让我们国内在2022年就具有了中端光刻机的技术基础和制造能力，然而，技术基础和能力虽然不过才这么高，却是至少历经 6 年以上时间才达到的，而从2022年里到2025年前是多少年？所以，国内业内和业外公开的主流看法一直都是不能在短期内就攻克7纳米光刻机。中科院也是这么看的，公开说在极紫外光刻机方面还有很长的路要走，已部署新技术路线光刻机的研制，说法和部署一定都是在论证之后提出、做出的，而选择新技术路线一定是认为只有这样才能更快地攻克，会不会之前也有了一定的“新路线”技术积累和储备？特别是，能不能在2025年前攻克呢？中科院是在2020年9月16日公开宣布进入光刻机战场的，一进场就直奔高端光刻机而去。

我们还可以确定地说，上海微电子在2025年前能为攻克7纳米光刻机奠定一定的技术基础、提供一定的制造能力。在攻克28纳米光刻机的2022年前，应该已经有了基于自己和包括中科院在内的其他国内研发机构按传统技术路线研发而取得的高端技术积累和储备，在2025年前肯定还能积累、储备一些，但是，肯定还奠定不起来、提供不上来高端光刻机所必需的整个技术基础和全部制造能力，并且，应该只能是整机集成方面的积累和储备吧，按到目前为止的信息，上海微电子一直以来，在光刻机产品上只是贡献了整机集成这个方面的关键技术和关键能力，没听说像ASML那样曾经另外攻克了关键部件之一——双工作台。

国内配套的部件制造厂家和研发机构呢？到目前为止的信息表明，相对于上海微电子的整机集成技术积累和储备，在包括但不局限于“三大核心部件”的高端部件技术方面的积累和储备不是“一定的”，而是厚实的、全面的，并且还高于、早于上海微电子的，特别是还形成了一定的关键部件制造能力，在2025年前一定能更为厚实、全面一些，制造能力一定能再提升一些，也就是，到2025年前，应该不止是有更多的高端部件技术积累和储备，而是为攻克高端光刻机奠定了“更高的”高端部件技术基础和制造能力。我刚刚还在今日头条看到了昨天晚上发出的一条新信息，某知名科技领域创作者说最近我国在光源和光学镜头方面都取得了突破，双工作台技术也在去年打破了ASML的垄断，因此认为“已经越来越接近EUV光刻机的核心了”。而我，在这里之所以说高端部件技术基础和制造能力到2025年前能是“更高的”却没说能是“足够的”，是因为根据到目前为止的信息，高端部件技术还没有多少已经转化为高端部件产品，转化中、待转化和概念性的高端部件技术加一起仍然占多数，而这一切在量和质上，到2025年前难能有突飞猛进式的变化，技术向来就不能在短时间内取得新进展、获得新突破。

按“多个国”分别历经10年、15年攻克7纳米光刻机的原型机和量产机这 2 个既有的历史事实，也可以确定地说上海微电子和配套的制造厂家与研发机构不能在2025年前攻克，连7纳米的原型机都不可能。将来一定能！甚至，能同跨越式地攻克28纳米量产光刻机一样，跨过14纳米及其以下，越过7纳米，但怎么也得 8 年、10年，最晚能在2032年前吧，这就称得上奇迹了，毕竟是“一国造”！我们中国人也确实是创造过不少奇迹，在光刻机领域就是，我们国内在1952年就起步相关技术的研发了，通过自加压力、自主研发，在1985年前，攻克了较多先进技术，攻克了较多先进产品，先进程度曾经仅仅低于美国这一个国。

4. arf光刻机与EUV光刻机有什么区别？

首先来说，Arf只是DUV(深紫外)光刻机用的光源而已。而DUV光刻机与EUV光刻机的区别主要有三点:第一，最小理论分辨率不同；第二，物镜组不同；第三，光源不同。基本上，EUV光刻机比DUV高了一代，也就是F22战斗机与F15战斗机之间的差距。

DUV光刻机的最小分辨率也就是7纳米了，目前也只有台积电用DUV光刻机在2018年量产了7纳米制程工艺的芯片。由于Arf光源得波长高达193纳米，正常情况下是达不到7纳米制程工艺，但是在物镜和基片之中注入浸入液体(第一代为纯水，其折射率是1.44，第二代浸入液的折射率为1.64，至于第三代浸入液的折射率应在1.8左右)，形成浸入式系统，相当于缩短了光源的波长。另外，再加上多层套膜技术，就使得DUV光刻机的分辨率到了7纳米，如果使用DUV光刻机继续制造5纳米，3纳米的芯片，除了代价极大之外，技术难度也极高，可以认为，DUV光刻机的极限分辨率就是7纳米了。

EUV光刻机最基本的分辨率就是7纳米，理论上可以实现1纳米的制程工艺。由于EUV光刻机的光源波长仅为13.5纳米，这就对提高其分辨率有先天的优势。

DUV光刻机用的是透镜组，EUV光刻机用的是反射镜组。众所周知光刻机的分辨率几乎与光源的波长成正比，与物镜的NA成反比。提高分辨率的两种途径就是缩短光源的波长，增大物镜组的NA值。但是提高反光镜的NA值难度太大了，而增大透镜的NA值，相对比较容易。ASML的EUV光刻机所用的反光镜NA是0.33，下一代的为0.5。而DUV光刻机的透镜NA为1.3，1.35。所以说，EUV中用到的反光镜制造难，要比DUV中透镜的难度大。毕竟一个是反光，一个是透光。

DUV光刻机用的是准分子Arf光源，EUV光刻机用的是EUV光源。Arf光源的波长为193纳米，目前能够制造出Arf光源的也只有米国Cymer，日本Gigaphoton，我国科益虹源这三家了。当进展到EUV光源时，就只剩Cymer和日本的一家公司。

ASML现在用的EUV光源是“高能脉冲激光打击到锡液滴靶上，形成等离子体，然后等离子体的发光被聚光镜收集起来作为光刻的光源”在这个过程中要控制锡液滴的流速，让高能脉冲激光每发射一次，就能够打击到锡液滴靶上，形成等离子体，这是一个难题。基本上涉及到微流控技术，大功率泵浦设备的制造。

所以说，DUV光刻机与EUV光刻机之间存在较大的差别，这些差别不仅仅体现在在价格上，更体现在技术含量，制造工艺上。

5. 我们自己生产的光刻机？

国产光刻机具体国产率说实在的我不清，但一定不会很高！

首先光刻机所需要的零配件非常多，数以万计，同时对精度要求也相当高，即便是荷兰ASML也是全球采购才能制造。以我国现在的设备制造水平想要完全使用国产配件生产光刻机是不现实的，根本做不到！

目前国内最先进的量产机型上海微电子的90nm光刻机主要零配件还是以进口为主，不夸张的说这机型就是照着人家ASML的光刻机给模仿出来的。

因此，这个国产化率肯定不会很高。

但在过去的几年中，我国光刻机整体的水平还是在快速上升，尤其是光刻机中的一些核心子系统（提升光刻机的整体性能这些子系统不可或缺），这些核心相关设备我们都在自主研发，并且已经取得了重大突破，甚至部分领域成为全球第二、第三。

双工件台：工件台主要用来让光刻机对晶圆进行蚀刻曝光，是最核心设备之一！双工件台可以大幅度提高光刻机生产效率以及精度，一个专用于运行制造，另一个则进行前期准备工作。荷兰是第一个研发出双工件台的厂商，而我们则是全球第二，目前由北京华卓精科生产，早前研发时有清华团队一起参与。

光学系统：这也是光刻机的核心部分，现阶段国内主要由两家研究所负责：长春光机和上海光机，前者负责物镜系统，而后者负责照明系统。有消息称长春光机已经在研制EUV曝光机，这是高端光刻机必备的系统，可以实现极紫外光刻。

准分子激光光源：这也是相当重要的部分，此系统由中科院光电研究院组织上光所，广电所、安光所、长光所等机构一同研发（下图为原理机），具体生产制造则是由科益虹源这家激光设备制造商负责。这个领域内之前仅有美日两家企业能生产准分子激光光源，目前我们算是第三家。

浸液系统：目前我国在研发的光刻机为沉浸式光刻机，这需要配套有专门的浸液系统，早前研发出对应技术的只有荷兰ASML和日本尼康，现在我们也拥有了对应的生产制造商，也就是排名全球第三。这套系统同样是高等学府和厂商合作研发，也就是浙大和浙江启尔机电，属于28nm光刻机的核心设备之一。

以上可以看出我国对光刻机是非常重视的，以上各个子系统基本属于我国2008年时启动的02专项（极大规模集成电路制造装备及成套工艺）项目，由中科院牵头组织一批研究机构攻关光刻机的核心子系统。

其实个人认为一台光刻机是否要提升国产化率并不重要，只要在核心子系统以及零部件上取得突破就可以了，剩下的一般来说欧美这边也不会给你卡脖子了。

而且有些配件事实上并非一定要国产化，一些大路货产品使用的原则是哪里便宜又好用就用谁的。就比如圆珠笔芯这种玩意，根本没必要去自主研发，这东西厂商研发出来对国内厂商来说利润太小了，而且从技术角度出发并无太大价值。

Lscssh科技官观点

现阶段光刻机最重要的光学系统、曝光光源等相继被攻克，这基本也意味着我国光刻机的国产化和整体水平将会有一个较大的提升。最新消息显示，上海微电子的28nm光刻机将于年底下线，这也是我国十三五规划的重要项目之一。

虽然我们现在和荷兰光刻机的水平差距不小，但相信未来我们一定能赶上！

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6. 上海光刻机集团公司由哪些公司组成？

物镜系统：

国望光学（未上市）：研发光刻机曝光光学系统。

赛微电子：给ASML提供透镜系统MEMS部件和晶圆制造服务。

曝光系统：

国科精密：国内首个曝光光学系统与物镜系统。

光源：

科益虹源（未上市）：研发准分子激光器。

福晶科技：研发KBBF晶体(用于激光设备的上游关键零部件)，KBBF晶体是目前可直接倍频产生EUV激光的非线性光学晶体。

光学元件：

茂莱光学：光刻机光学透视镜提供商，目前生产的半导体光学透镜被应用在光刻机光学系统中。

腾景科技：公司多波段合分束器已完成产品开发，进入半导体设备厂供应链。

炬光科技：为上海微电子等企业提供了半导体激光退火系统以及核心元器件。

晶方科技：子公司Anteryon为全球领先的光学设计和晶圆级光学镜头制造商，是ASML光学平台和晶圆对位传感器的供应商。

苏大维格：向上海微电子提供了光刻机用的定位光栅产品。

浸没式系统：

启尔机电（未上市）：浸没系统供应商

双工作台：

华卓精科：双工件台供应商

空气净化设备：

美埃科技：为上海微提供了光刻设备所需的洁净过滤产品

结构零部件：

富创精密：半导体零部件制造的工艺技术达到主流国际客户标准，是ASML的战略供应商

新莱应材：真空产品以及气体产品均可以应用到光刻机的设备中

7. 华为研发光刻机的是谁？

华为没有研发光刻机。

华为没有研发光刻机，华为的海思是做芯片设计的，不论是华为本身的5g设备还是华为海思麒麟芯片都是找人代工的。国内研发光刻机内部组件的有一些，比如长春光机所，科益虹源等，但制造光刻机的国内企业只有一家，就是上海微电子。